互連工藝中AL的制備可選用（）。

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。