光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

常壓的硅外延方法有（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標？（）

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。