單項選擇題砂漿回彈法彈擊點處應磨掉表面砂漿，深度應為（）。
A.3-8mm
B.5-10mm
C.8-15mm
D.10-15mm
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1.單項選擇題位雙剪法檢測時，下列哪個部位可以布設測點（）。
A.門、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi)
B.后補的施工洞口和經(jīng)修補的砌體
C.完整墻體中部
D.獨立磚柱
2.單項選擇題砂漿回彈法測試碳化深度時應用濃度為（）的酚酞酒精溶液。
A.1%-2%
B.2%-3%
C.3%-4%
D.4%-5%
3.單項選擇題砂漿片試件的剪切測試，應對試件勻速連續(xù)施加荷載，加荷速度不宜大于（），直至試件破壞。
A.8N/s
B.10N/s
C.15N/s
D.20N/s
4.單項選擇題砂漿片剪切法所用的砂漿測強儀上下刀片中心間距為（）。
A.1.8±0.05mm
B.2.0±0.05mm
C.2.2±0.05mm
D.2.4±0.05mm
5.單項選擇題筒壓法試樣加載時應均勻加載至規(guī)定的筒壓荷載值，水泥砂漿，石粉砂漿的筒壓荷載值應為（）。
A.5kN
B.10kN
C.15kN
D.20kN
最新試題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應。
題型：單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項選擇題
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項選擇題