單項選擇題位雙剪法檢測時，下列哪個部位可以布設測點（）。
A.門、窗洞口側邊120mm范圍內
B.后補的施工洞口和經修補的砌體
C.完整墻體中部
D.獨立磚柱
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1.單項選擇題砂漿回彈法測試碳化深度時應用濃度為（）的酚酞酒精溶液。
A.1%-2%
B.2%-3%
C.3%-4%
D.4%-5%
2.單項選擇題砂漿片試件的剪切測試，應對試件勻速連續(xù)施加荷載，加荷速度不宜大于（），直至試件破壞。
A.8N/s
B.10N/s
C.15N/s
D.20N/s
3.單項選擇題砂漿片剪切法所用的砂漿測強儀上下刀片中心間距為（）。
A.1.8±0.05mm
B.2.0±0.05mm
C.2.2±0.05mm
D.2.4±0.05mm
4.單項選擇題筒壓法試樣加載時應均勻加載至規(guī)定的筒壓荷載值，水泥砂漿，石粉砂漿的筒壓荷載值應為（）。
A.5kN
B.10kN
C.15kN
D.20kN
5.單項選擇題筒壓法取樣后使用手錘擊碎樣品時，應篩取5~15mm的砂漿顆粒約（），烘干后冷卻至室溫備用。
A.3000g
B.2500g
C.2000g
D.1500g
最新試題
下列是晶體的是（）。
題型：單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結構。
題型：單項選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結會產生光生伏特效應。
題型：單項選擇題
載流子的擴散運動產生擴散電流，漂移運動產生（）電流。
題型：單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）
題型：單項選擇題
如果雜質既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質稱為（）。
題型：單項選擇題
雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中，當溫度升高時，電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項選擇題
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產生（）.使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
題型：單項選擇題