鍵合工藝失效，焊盤產(chǎn)生彈坑的原因有（）。

制造和封裝工藝過程中的材料性能是決定材料應用的關鍵，制造性能主要包括（）。

下面選項中硅片減薄技術正確的是（）。

為了獲得好的性能，塑封料的電學性必須得到控制。

使用3D封裝技術可以實現(xiàn)40～50倍的成品尺寸和重量的減少。

QFP的結構形式因帶有引線框（L/F），對設定的電性能無法調整，而BGA可以通過芯片片基結構的變更，得到所需的電性能。

引線鍵合的目的是將金線鍵合在晶片、框架或基板上。

塑封料的機械性能包括的模量有（）。

通常芯片上的引出端焊盤是排列在管芯片附近的方形（）。

引線鍵合的參數(shù)主要包括（）。