影響封裝芯片特性的溫度有（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

芯片粘接的工藝過程包括（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。