常壓的硅外延方法有（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。