影響封裝芯片特性的溫度有（）。

鳥嘴效應造成的不良影響有（）。

光刻工藝的特點包括（）。

進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

光刻工藝的設備核心是（）。

常壓的硅外延方法有（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。