下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

摻雜后，退火的目的是（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。