刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

新的平坦化方法有哪幾個？（）