硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。

進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關？（）

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結合來實現(xiàn)圖形的轉移？（）

目前制備SOI材料的主流技術有幾種？（）

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。