判斷題制作MOS管時(shí),一般先進(jìn)行源的注入,再進(jìn)行漏的注入。
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
最新試題
源漏注入之后,必須進(jìn)行()工藝,修復(fù)晶格損傷,激活雜質(zhì)。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
為了后續(xù)連接方便,信號(hào)端一般用什么圖層引出?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
用四端器件繪制電路圖時(shí),NMOS管和PMOS管的襯底連接正確的是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
MOS結(jié)構(gòu)指的是金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)稱。
題型:判斷題
如果制作柵氧結(jié)構(gòu),一般采用的方法是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在組合電路中,NMOS管串聯(lián)實(shí)現(xiàn)的是什么邏輯?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
MOS晶體管的源區(qū)、漏區(qū)及源、漏之間的溝道區(qū)域通常稱為()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
集成電路再分析軟件其處理的主要對(duì)象是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在制作MOS管時(shí),采用LOCOS工藝容易出現(xiàn)()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
我們利用LOCOS技術(shù)制作MOS中的()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題