多項選擇題?集成電路制造技術(shù)中,薄膜制備技術(shù)主要包括兩大類()。
A.薄膜生長技術(shù)
B.薄膜淀積技術(shù)
C.薄膜外延技術(shù)
D.薄膜堆疊技術(shù)
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1.單項選擇題與真空蒸發(fā)相比,濺射薄膜的臺階覆蓋性好,關(guān)鍵在于()。
A.濺射工藝重復(fù)性好
B.濺射角度大
C.濺射工藝復(fù)雜
D.濺射原子遷移能力強(qiáng)
2.單項選擇題?以下不屬于真空蒸發(fā)的局限性的是()。
A.生長機(jī)理簡單
B.工藝重復(fù)性
C.臺階覆蓋能力差
D.薄膜與襯底附著力小
3.單項選擇題以下不屬于電子束加熱的優(yōu)點(diǎn)的是()。
A.蒸發(fā)溫度高
B.工藝設(shè)備簡單
C.熱效率高
D.高純度淀積
4.單項選擇題?以下不屬于真空蒸發(fā)過程的是()。
A.氣相輸運(yùn)
B.薄膜淀積
C.薄膜定向
D.加熱蒸發(fā)
5.單項選擇題以下磷(P)源屬于氣態(tài)源的是()。
A.POCl3
B.P2O5
C.PH3
D.PCl3
最新試題
制造和封裝工藝過程中的材料性能是決定材料應(yīng)用的關(guān)鍵,制造性能主要包括()。
題型:多項選擇題
鍵合常用的劈刀形狀,下列說法正確的是()。
題型:多項選擇題
下列對焊接可靠性無影響的是()。
題型:單項選擇題
鍵合工藝失效,焊盤產(chǎn)生彈坑的原因有()。
題型:多項選擇題
電子封裝是指對電路芯片進(jìn)行包裝,進(jìn)而保護(hù)電路芯片,以免其受到外界環(huán)境影響的包裝。
題型:判斷題
凸點(diǎn)的制作技術(shù)有()。
題型:多項選擇題
下面選項中硅片減薄技術(shù)正確的是()。
題型:單項選擇題
在近十年由于材料和設(shè)備的發(fā)展,同時伴隨電子產(chǎn)品功能的日益增強(qiáng),()再次來到大眾視線
題型:單項選擇題
倒裝芯片的連接方式有()。
題型:多項選擇題
去毛飛邊工藝指的是將芯片多余部分進(jìn)行有效的切除。
題型:判斷題