A.光刻膠涂覆
B.曝光
C.顯影
D.腐蝕
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A.布線分全局布線與詳細(xì)布線兩個階段,決定布線途徑
B.當(dāng)某個布線變?yōu)椴豢赡軙r,確定并拆除成為其障礙物的布線群,進(jìn)行重新布線,使其不再成為其它布線的障礙
C.基于階層的布局設(shè)計包括自頂向下的布圖規(guī)劃和自下向上的模塊布局
D.自頂向下的布圖規(guī)劃包括對階層模塊進(jìn)行面積預(yù)估、確定aspect比、放置模塊及模塊間時間制約的分割
A.是一種高速計算近似值的算法
B.是在實際可行的時間內(nèi)計算布局布線最優(yōu)解的算法
C.是求局部最優(yōu)解的算法
D.為了讓近似值接近最優(yōu)解,有必要改變執(zhí)行條件(初解、控制參數(shù))多次進(jìn)行重新計算
A.DRC
B.LVS
C.時序驗證
D.信號完全性
A.clock skew
B.組合電路的最大延遲
C.FF的Setup時間
D.FF的Hold時間
A.Distributed BIST
B.Direct Access
C.Test Bus
D.Boundary Scan
最新試題
鍵合工藝失效,,鍵合點尾絲不一致,可能產(chǎn)生的原因有()。
下列屬于BGAA形式的是()。
下列關(guān)于BGA球柵陣列的優(yōu)缺點,說法正確的是()。
制造和封裝工藝過程中的材料性能是決定材料應(yīng)用的關(guān)鍵,制造性能主要包括()。
引線鍵合的目的是將金線鍵合在晶片、框架或基板上。
下面關(guān)于BGA的特點,說法錯誤的是()。
凸點的制作技術(shù)有()。
常規(guī)芯片封裝生產(chǎn)過程包括粘裝和引線鍵合兩個工序,而倒裝芯片則合二為一。
下面選項中硅片減薄技術(shù)正確的是()。
WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點是IC到PCB之間的電感很大。