微電子學(xué)填空題每日一練(2020.05.04)

來源：考試資料網(wǎng)

1.填空題 注入離子的射程主要由（）決定。確定注入離子分布的主要參數(shù)是（）及其（）。注入離子分布的一級近似為（）。可寫成：

參考答案：離子能量、離子種類和襯底材料；平均投影射程；標(biāo)準(zhǔn)偏差；高斯分布

2.填空題單晶硅太陽能電池采用（）表面來增加表面積，用沉積Si₃N₄作（）膜來降低入射光的反射，用在擴(kuò)散層表面氧化生長（）nm的鈍化層，改變表面層硅原子價鍵失配，減少表面復(fù)合，提高短路電流。用PECVD法沉積Si₃N₄時，反應(yīng)中大量的原子H可以降低鈍化層與表層硅界面的（）

參考答案：絨化；減反膜；10~25；介面態(tài)

3.填空題PN結(jié)的正向電流由（）電流、（）電流和（）電流三部分所組成。

參考答案：空穴擴(kuò)散；電子擴(kuò)散；勢壘區(qū)復(fù)合

4.填空題在緩變基區(qū)晶體管的基區(qū)中會產(chǎn)生一個（），它對少子在基區(qū)中的運動起到（）的作用，使少子的基區(qū)渡越時間（）。

參考答案：內(nèi)建電場；加速；減小

5.填空題非晶、（）、單晶是固體的三種基本類型。

參考答案：多晶

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