微電子學章節(jié)練習(2020.03.11)

來源：考試資料網(wǎng)

1.名詞解釋PSM移相掩膜

參考答案：相移掩膜上的電介質層在光刻版上開口部分以間隔的方式形成相移圖形，通過沒有相移涂敷開口部分的光線，會與通過有相移涂敷開口的...

2.問答題外延有何應用？

參考答案：①雙極型電路A：n/n+外延 B： n/p外延
②MOS電路外延膜的主要應用是...

3.問答題當分辨率增加時焦深會發(fā)生什么變化？

4.填空題根據(jù)不同的擊穿機理，PN結擊穿主要分為（）和隧道擊穿這兩種電擊穿。

5.填空題肖特基接觸呈現(xiàn)（），肖特基結的高低由（）差決定；歐姆接觸呈現(xiàn)（）特性，接觸電阻可以低到10^-7歐姆·厘米。IC的互連線金屬要求與半導體襯底實現(xiàn)（），所以，源、漏、多晶硅等的摻雜濃度必須高于（）。

參考答案：二極管特性；金屬功函數(shù)和半導體表面功函數(shù)；線性；歐姆接觸；10²⁰/cm³

6.填空題所謂（），是指幅度隨時間連續(xù)變化的信號。

7.問答題簡述微電子工藝的特點

參考答案：①高技術含量：設備先進、技術先進
②高精度：光刻圖形的最小線條尺寸在亞微米量級，制備的介質薄膜厚度也在納米量級...

8.問答題半導體工藝中常用的三種CVD反應器類型

參考答案：APCVD：常壓化學氣相淀積
LPCVD: 低壓化學氣相淀積 &e...

9.問答題什么是無源元件，舉出兩個無源元件的例子。

無源器件：在不需要外加電源的條件下，就可以顯示其特性的電子元件。
例子：電阻，電容。

10.名詞解釋IP

參考答案：知識產(chǎn)權核，是具有知識產(chǎn)權的集成電路芯核的簡稱。英文Intellectual Property的縮寫。為滿足TTM的要求...