微電子學(xué)章節(jié)練習(xí)(2020.01.28)

來(lái)源：考試資料網(wǎng)

1.判斷題在熱氧化過(guò)程的初始階段，二氧化硅的生長(zhǎng)速率由氧化劑通過(guò)二氧化硅層的擴(kuò)散速率決定，處于線性氧化階段。

2.填空題當(dāng)采用耗盡近似時(shí)，由N 型耗盡區(qū)中的泊松方程可以看出，摻雜濃度越高，則內(nèi)建電場(chǎng)的斜率越（）。

3.問(wèn)答題解釋PN節(jié)的單向?qū)щ娦裕?/a>

參考答案：載流子漂移（電流）和擴(kuò)散（電流）過(guò)程保持平衡（相等），形成自建場(chǎng)和自建勢(shì)在PN結(jié)上外加一電壓，如果P型一邊接正極，N型一...

4.問(wèn)答題離子注入后的RTA流程

1、晶圓進(jìn)入
2、溫度急升
3、溫度趨穩(wěn)
4、退火
5、晶圓冷卻
6、晶圓退出

5.問(wèn)答題解釋增強(qiáng)型晶體管和耗盡型晶體管使用情況的區(qū)別。

參考答案：增強(qiáng)型和耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，總的來(lái)說(shuō)，場(chǎng)效應(yīng)晶體管可區(qū)分為耗盡型和增強(qiáng)型兩種。耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(D-FET)就是在0柵...

6.填空題擴(kuò)散分布的主要測(cè)量方法有：（）。

參考答案：四探針測(cè)電阻率、擴(kuò)展電阻測(cè)載流子分布、霍爾效應(yīng)測(cè)電阻率、染色法測(cè)結(jié)深、二次離子質(zhì)譜測(cè)雜質(zhì)分布、盧瑟福背散射測(cè)重雜質(zhì)分布

7.填空題在長(zhǎng)溝道MOSFET中，漏極電流的飽和是由于（），而在短溝道MOSFET中，漏極電流的飽和則是由于（）。

參考答案：溝道夾斷；載流子漂移速度的飽和

8.問(wèn)答題給出硅片制造中光刻膠的兩種目的。

1.將掩膜版圖案轉(zhuǎn)移到硅片表面頂層的光刻膠中。
2.在后續(xù)工藝中保護(hù)下面的材料。

9.問(wèn)答題集成電路設(shè)計(jì)和分立電路設(shè)計(jì)相比，有哪些特點(diǎn)？

參考答案：①集成電路對(duì)設(shè)計(jì)正確性提出了更為嚴(yán)格的要求。
②集成電路外引出端的數(shù)目不可能與芯片內(nèi)器件的數(shù)目同步增加，因此設(shè)...

10.問(wèn)答題什么是leftoff技術(shù)？?jī)?yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)是什么？

參考答案：Liftoff技術(shù)是一種有別與干法和濕法刻蝕的介質(zhì)薄膜，特別是金屬薄膜特殊剝離去除技術(shù)
優(yōu)點(diǎn)是：樣品不必做實(shí)際...