微電子學(xué)單項選擇題每日一練(2020.05.04)

來源：考試資料網(wǎng)

1 離子注入過程是一個非平衡過程，高能離子進(jìn)入靶后不斷與原子核及其核外電子碰撞，逐步損失能量，最后停下來。停下來的位置是隨機(jī)的，大部分不在晶格上，因而沒有（）。

2 浸入式光刻技術(shù)可以使193nm光刻工藝的最小線寬減小到45nm以下。它通過采用折射率高的液體代替透鏡組件間的空氣，達(dá)到（）的目的。

3 如果淀積的膜在臺階上過度地變薄，就容易導(dǎo)致高的膜應(yīng)力、電短路或者在器件中產(chǎn)生不希望的（）。

4 不論正膠或負(fù)膠，光刻過程中都包括如下步驟：
1.刻蝕
2.前烘
3..顯影
4.去膠
5.涂膠
6.曝光
7.堅膜
以下選項排列正確的是：（）。

5 半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中所制備的二氧化硅薄膜屬于（）。