微電子學(xué)章節(jié)練習(xí)(2020.04.19)
來源:考試資料網(wǎng)參考答案:(1)IC制造中所有圖形化刻蝕均為等離子體刻蝕或干法刻蝕。
(2)應(yīng)用于電介質(zhì)積淀。
(3)離子注入...
(2)應(yīng)用于電介質(zhì)積淀。
(3)離子注入...
參考答案:功率增益;帶寬
參考答案:
機(jī)理:等離子體由中性原子團(tuán)、游離基、分子、離子、少量高能電子組成。
優(yōu)勢(shì):可以較低溫度下淀積薄膜,常是低溫與低壓結(jié)合
參考答案:芯片的關(guān)鍵尺寸(CD)是指硅片上的最小特征尺寸;
因?yàn)槲覀儗D作為定義制造復(fù)雜性水平的標(biāo)準(zhǔn),也就是如果你擁有...
因?yàn)槲覀儗D作為定義制造復(fù)雜性水平的標(biāo)準(zhǔn),也就是如果你擁有...
5.問答題離子注入通常在什么工藝之后?
參考答案:電路和系統(tǒng)
參考答案:二極管特性;金屬功函數(shù)和半導(dǎo)體表面功函數(shù);線性;歐姆接觸;1020/cm3
參考答案:①定義:在單晶襯底上新生一層單晶膜的技術(shù)。
以氣相外延為例,則是含外延層材料的物質(zhì)以氣相形式流向襯底,在高溫下...
以氣相外延為例,則是含外延層材料的物質(zhì)以氣相形式流向襯底,在高溫下...