單項(xiàng)選擇題溫度循環(huán)試驗(yàn)是在溫度均值上應(yīng)用一定幅值的溫度變化，溫度變化的速率是（）。
A.快速的
B.可變的
C.與溫度沒有關(guān)系
D.固定的
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1.多項(xiàng)選擇題集成電路的電學(xué)測(cè)試包括功能測(cè)試和參數(shù)測(cè)試，以下屬于電學(xué)測(cè)試的為（）。
A.電流
B.電場(chǎng)強(qiáng)度
C.電壓
D.阻抗
2.單項(xiàng)選擇題以下電子產(chǎn)品的測(cè)試方法，屬于破壞性測(cè)試的為（）。
A.選擇性剝層
B.透射電鏡掃描
C.X射線檢測(cè)
D.紅外光譜分析
3.單項(xiàng)選擇題要觀察半導(dǎo)體器件上的針眼和小孔、鈍化層裂縫等缺陷，應(yīng)使用（）。
A.掃描電子顯微鏡
B.光學(xué)顯微鏡
C.透射電子顯微鏡
D.原子力顯微鏡
4.多項(xiàng)選擇題芯片發(fā)生失效的機(jī)理包括（）。
A.疲勞
B.磨損
C.過壓力
D.過應(yīng)力
5.單項(xiàng)選擇題引起芯片翹曲的原因，是由于施加到元器件上的力（）。
A.過小
B.消失
C.不平衡
D.過大
最新試題
刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題