A、若三個(gè)試樣測值的極值中僅有一個(gè)與中間值之差超過中間值的10%,取中間值。
B、若三個(gè)試樣測值的極值與中間值之差均超過中間值的10%,本次試驗(yàn)無效。
C、若三個(gè)試樣測值的極值中僅有一個(gè)與中間值之差超過中間值的15%,取中間值。
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A、線性回歸方法
B、繪圖擬合方法
C、A、B兩種方法均可
D、A、B兩種方法均不可
A、砂漿一次分別裝入三個(gè)試驗(yàn)筒中,做三個(gè)試驗(yàn)
B、采用振動(dòng)臺振實(shí)時(shí),振動(dòng)應(yīng)持續(xù)到表面出漿為止,不得過振
C、同一試驗(yàn),整個(gè)貫入過程應(yīng)保持用同一貫入面積的測針
D、以貫入阻力28MPa時(shí)不能在試樣表面壓下痕印作為達(dá)到砼終凝狀態(tài)
A、砼初凝時(shí)間以貫入阻力為3.5MPa時(shí)的時(shí)間
B、砼初凝時(shí)間以貫入阻力為0時(shí)的時(shí)間
C、砼終凝時(shí)間以貫入儀全量程壓力不能貫入到規(guī)定深度的時(shí)間
D、砼終凝時(shí)間以貫入阻力為28MPa時(shí)的時(shí)間
A、水泥性能
B、外加劑性能
C、粗骨料最大粒徑
D、環(huán)境溫度
A、從水泥與水拌合接觸的瞬間開始計(jì)時(shí)
B、從砂漿試驗(yàn)筒裝料搗實(shí)的瞬間開始計(jì)時(shí)
C、從拌合物攪拌完成的瞬間開始計(jì)時(shí)
D、從首次貫入施加阻力的同時(shí)開始計(jì)時(shí)
最新試題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢的現(xiàn)象稱()
硅片拋光在原理上不可分為()