制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

下列是晶體的是（）。 

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

可用作硅片的研磨材料是（）

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法