版圖繪制時一般用哪個圖層來實現(xiàn)器件連接？（）

光刻時，必須將硅片與掩模版進(jìn)行對準(zhǔn)，不同的掩模版之間也要對準(zhǔn)，可以采用仔細(xì)觀察的方法。

我們利用LOCOS技術(shù)制作MOS中的（）。

外延雙阱工藝的優(yōu)點包括（）。

在組合電路中，NMOS管串聯(lián)實現(xiàn)的是什么邏輯？（）

為了后續(xù)連接方便，信號端一般用什么圖層引出?（）

CMOS電路是通過有源區(qū)進(jìn)行隔離的，屬于絕緣介質(zhì)隔離。

STI技術(shù)相比LOCOS工藝，占地面積更小，而且不會產(chǎn)生鳥嘴效應(yīng)。

為了實現(xiàn)全局平坦化，在集成電路中，經(jīng)常采用（）工藝。

集成電路版圖物理驗證必須要做的步驟主要有哪些？（）