多項選擇題?對非光學(xué)曝光表述正確的是（）。

A.X-射線是非光學(xué)曝光
B.電子束是非光學(xué)曝光
C.非光學(xué)曝光都不需要光刻版
D.EUV是非光學(xué)曝光


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1.多項選擇題對移相掩膜（PSM）表述正確的是（）。

A.使光通過后產(chǎn)生180度相位差
B.提高分辨率
C.消除了圖形邊緣的衍射

2.多項選擇題對正性光刻膠特性表述正確的是（）。

A.分辨率高
B.顯影時曝光部分不溶解，未曝光部分溶解
C.分辨率低
D.顯影時曝光部分溶解，未曝光部分不溶解

3.多項選擇題?提高光刻分辨率的途徑有（）。

A.增大數(shù)值孔徑NA
B.增大曝光波長
C.減小曝光波長
D.減小數(shù)值孔徑NA

4.多項選擇題?光刻工藝流程中后烘的作用是（）。

A.消除駐波效應(yīng)
B.蒸發(fā)PR中所有有機溶劑
C.提高光刻膠和表面的黏附性
D.平滑光刻膠側(cè)壁

5.多項選擇題光刻是集成電路制造最重要的工藝，是因為（）。

A.光刻耗費時間最多
B.光刻耗費時間最少
C.光刻決定了特征尺寸
D.光刻成本最高