光刻時(shí)，必須將硅片與掩模版進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)，不同的掩模版之間也要對(duì)準(zhǔn)，可以采用仔細(xì)觀察的方法。

版圖繪制應(yīng)該在哪個(gè)視圖中進(jìn)行？（）

氧化層中摻雜了硼雜質(zhì)，一般稱為（）。

集成電路版圖物理驗(yàn)證必須要做的步驟主要有哪些？（）

STI技術(shù)相比LOCOS工藝，占地面積更小，而且不會(huì)產(chǎn)生鳥嘴效應(yīng)。

未進(jìn)行摻雜的二氧化硅薄膜，通常簡(jiǎn)寫為（）。

CMOS電路是通過有源區(qū)進(jìn)行隔離的，屬于絕緣介質(zhì)隔離。

以下工藝中，方塊電阻是一個(gè)重要的參數(shù)，一般用于衡量（）工藝中雜質(zhì)情況。

無論是施加正偏壓還是反偏壓，MOS電容都是一種線性電容。

外延雙阱工藝的優(yōu)點(diǎn)包括（）。