集成電路的制造工藝，需要采用隔離技術(shù)，常見的隔離方法有（）。

為了實(shí)現(xiàn)全局平坦化，在集成電路中，經(jīng)常采用（）工藝。

集成電路版圖物理驗(yàn)證必須要做的步驟主要有哪些？（）

MOS晶體管的源區(qū)、漏區(qū)及源、漏之間的溝道區(qū)域通常稱為（）。

以下工藝中，方塊電阻是一個(gè)重要的參數(shù)，一般用于衡量（）工藝中雜質(zhì)情況。

摩爾定律中每一代集成電路上晶體管密度翻倍值是多少？（）

如果制作柵氧結(jié)構(gòu)，一般采用的方法是（）。

顯影后，被曝光區(qū)域的光刻膠被去除，該種光刻膠稱為（）。

未進(jìn)行摻雜的二氧化硅薄膜，通常簡(jiǎn)寫為（）。

CMOS電路是通過有源區(qū)進(jìn)行隔離的，屬于絕緣介質(zhì)隔離。