多項(xiàng)選擇題?CVD技術(shù)可以制備的薄膜有（）。

A.SiO2
B.單晶硅
C.BSG
D.Si3N4


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1.多項(xiàng)選擇題?濺射方法從本質(zhì)上可分為（）。

A.反應(yīng)濺射
B.直流濺射
C.磁控濺射
D.射頻濺射

2.多項(xiàng)選擇題?集成電路制造技術(shù)中，薄膜制備技術(shù)主要包括兩大類(lèi)（）。

A.薄膜生長(zhǎng)技術(shù)
B.薄膜淀積技術(shù)
C.薄膜外延技術(shù)
D.薄膜堆疊技術(shù)

3.單項(xiàng)選擇題與真空蒸發(fā)相比，濺射薄膜的臺(tái)階覆蓋性好，關(guān)鍵在于（）。

A.濺射工藝重復(fù)性好
B.濺射角度大
C.濺射工藝復(fù)雜
D.濺射原子遷移能力強(qiáng)

4.單項(xiàng)選擇題?以下不屬于真空蒸發(fā)的局限性的是（）。

A.生長(zhǎng)機(jī)理簡(jiǎn)單
B.工藝重復(fù)性
C.臺(tái)階覆蓋能力差
D.薄膜與襯底附著力小

5.單項(xiàng)選擇題以下不屬于電子束加熱的優(yōu)點(diǎn)的是（）。

A.蒸發(fā)溫度高
B.工藝設(shè)備簡(jiǎn)單
C.熱效率高
D.高純度淀積