問(wèn)答題為什么說(shuō)MOS電容的組成復(fù)雜?
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最新試題
鍵合工藝失效,焊盤產(chǎn)生彈坑的原因有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
為了獲得好的性能,塑封料的電學(xué)性必須得到控制。
題型:判斷題
凸點(diǎn)的制作技術(shù)有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
因?yàn)镼FP封裝的可靠性高,且其封裝外形尺寸較小,寄生參數(shù)減小,故多用于高頻電路、音頻電路、微處理器、電源電路。
題型:判斷題
制造和封裝工藝過(guò)程中的材料性能是決定材料應(yīng)用的關(guān)鍵,制造性能主要包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
根據(jù)焊點(diǎn)的形狀,引線鍵合有兩種形式,分別是()。
題型:多項(xiàng)選擇題
按照芯片組裝方式的不同,關(guān)于SiP的分類,說(shuō)法錯(cuò)誤的是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
引線鍵合的常用技術(shù)有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
下面選項(xiàng)中硅片減薄技術(shù)正確的是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在近十年由于材料和設(shè)備的發(fā)展,同時(shí)伴隨電子產(chǎn)品功能的日益增強(qiáng),()再次來(lái)到大眾視線
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題