集成電路工藝原理填空題每日一練(2020.06.02)

來源：考試資料網(wǎng)

1.填空題影響CZ直拉法的兩個(gè)主要參數(shù)是（）和（）。

2.填空題硅片平坦化的四種類型分別是（）、部分平坦化、（）和（）。

3.填空題CVD過程中化學(xué)反應(yīng)所需的激活能來源有（）、（）、（）等。

4.填空題自持放電的形式有（）、（）、（）、（）。

5.填空題集成電路制造中摻雜類工藝有（）和（）兩種。