集成電路工藝原理章節(jié)練習(xí)(2020.04.22)
來(lái)源:考試資料網(wǎng)1.問(wèn)答題為什么多晶硅的干法刻蝕要采用氯基氣體而不是氟基氣體?
參考答案:不用SF6等F基氣體是因?yàn)镃l基氣體刻蝕多晶硅對(duì)下層的柵氧化層有較高的選擇比。
2.判斷題PSG高溫回流需要的溫度要比BPSG高。
參考答案:硅片的制備;硅片制造;裝配和封裝
5.名詞解釋填充薄膜
參考答案:
是指用金屬薄膜填充通孔,以便在兩金屬層之間形成電連接。
8.問(wèn)答題簡(jiǎn)述法刻蝕的優(yōu)缺點(diǎn)(與濕法刻蝕比)。
參考答案:優(yōu)點(diǎn):①刻蝕剖面各向異性,非常好的側(cè)壁剖面控制;
②好的CD控制;
③最小的光刻膠脫落或粘附問(wèn)題;<...
②好的CD控制;
③最小的光刻膠脫落或粘附問(wèn)題;<...
9.問(wèn)答題簡(jiǎn)述摻氯氧化工藝。