集成電路工藝原理章節(jié)練習(xí)(2020.04.22)

來(lái)源:考試資料網(wǎng)
參考答案:不用SF6等F基氣體是因?yàn)镃l基氣體刻蝕多晶硅對(duì)下層的柵氧化層有較高的選擇比。
參考答案:硅片的制備;硅片制造;裝配和封裝
5.名詞解釋填充薄膜
參考答案:

是指用金屬薄膜填充通孔,以便在兩金屬層之間形成電連接。

參考答案:優(yōu)點(diǎn):①刻蝕剖面各向異性,非常好的側(cè)壁剖面控制;
②好的CD控制;
③最小的光刻膠脫落或粘附問(wèn)題;<...
參考答案:在氧化工藝中,通常在氧化系統(tǒng)中通入少量的HCl氣體(濃度在3%以下)以改善SiO2–S...