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集成電路工藝原理問答題每日一練(2020.04.29)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題光刻膠正膠和負膠的區(qū)別是什么？

參考答案：正性光刻膠受光或紫外線照射后感光的部分發(fā)生光分解反應(yīng)，可溶于顯影液，未感光的部分顯影后仍然留在晶圓的表面，它一般適合做長...

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2.問答題 根據(jù)圖，給出M₂管的漏極電流表達式。

參考答案：

3.問答題簡述鋁的結(jié)穿刺現(xiàn)象及解決方法。

參考答案：在純鋁和硅的界面加熱合金化過程中（450～500℃），硅開始溶解在鋁中直到在鋁中的濃度達到0.5％，該過程消耗硅并在硅中...

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4.問答題簡述什么焦深（DOF）及其公式。

參考答案：焦深是焦點上下的一個范圍，在這個范圍內(nèi)圖像連續(xù)保持清晰。焦深類似照相的景深，集成電路光刻中的景深很小，一般在1.0&mu...

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5.問答題簡述高能離子轟擊的內(nèi)容。

參考答案：①離子反射（能量很小）；
②離子吸附（<10eV），能量轉(zhuǎn)化熱能；
③離子注入（>10keV），能量...

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