集成電路工藝原理章節(jié)練習(xí)(2020.06.02)
來(lái)源：考試資料網(wǎng)1.問(wèn)答題片式瓷介電容器主要有哪幾種類型？各有什么主要特點(diǎn)？
參考答案：片式瓷介電容器：?jiǎn)螌拥碾姌O燒結(jié)構(gòu)成陶瓷芯片，再外加電極，形成電容器。
多層片式瓷介電容器：由印好電極（內(nèi)電極）...
多層片式瓷介電容器：由印好電極（內(nèi)電極）...
2.問(wèn)答題簡(jiǎn)述正膠和負(fù)膠區(qū)別。
參考答案：
正膠：曝光的部分易溶解，占主導(dǎo)地位；
負(fù)膠：曝光的部分不易溶解。負(fù)膠的粘附性和抗刻蝕性能好，但分辨率低。
3.名詞解釋LOCOS
參考答案：
局部氧化工藝。
6.問(wèn)答題比較整版掩模和單片掩模的區(qū)別，并列舉三種掩模的制造方法。
10.問(wèn)答題簡(jiǎn)述輕摻雜漏（LDD）工藝目的。
參考答案：減小源漏間的穿通和溝道漏電，提高源漏擊穿電壓。
