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集成電路工藝原理章節(jié)練習(xí)(2020.06.02)

來(lái)源：考試資料網(wǎng)

1.問(wèn)答題什么是無(wú)源電阻？什么是有源電阻？舉例說(shuō)明。

參考答案：無(wú)源電阻通常是合金材料或采用摻雜半導(dǎo)體制作的電阻，而有源電阻則是將晶體管進(jìn)行適當(dāng)?shù)倪B接和偏置，利用晶體管的不同的工作區(qū)所...

2.問(wèn)答題簡(jiǎn)述離子注入效應(yīng)。

參考答案：溝道效應(yīng)：當(dāng)注入離子未與硅原子碰撞減速，而是穿透了晶格間隙時(shí)就發(fā)生了溝道效應(yīng)。
控制溝道效應(yīng)的方法：①傾斜硅片...

3.判斷題CMOS反相器電路的功效產(chǎn)生于輸入信號(hào)為零的轉(zhuǎn)換器。

4.判斷題不正確的刻蝕將導(dǎo)致硅片報(bào)廢，給硅片制造公司帶來(lái)?yè)p失。

5.名詞解釋溝道效應(yīng)

離子沿溝道前進(jìn)，核阻擋作用小，因而射程比非晶靶遠(yuǎn)得多，這種現(xiàn)象叫溝道效應(yīng)。

6.問(wèn)答題為什么多晶硅的干法刻蝕要采用氯基氣體而不是氟基氣體？

參考答案：不用SF₆等F基氣體是因?yàn)镃l基氣體刻蝕多晶硅對(duì)下層的柵氧化層有較高的選擇比。

7.名詞解釋自摻雜效應(yīng)

參考答案：在外延生長(zhǎng)過(guò)程中，襯底雜質(zhì)及其他來(lái)源雜質(zhì)因?yàn)闊嵴舭l(fā)，或者化學(xué)反應(yīng)等非人為地參入外延層，改變了邊界層中的摻雜成分和濃度，從...

8.填空題自持放電的形式有（）、（）、（）、（）。

參考答案：輝光放電；弧光放電；電暈放電；火花放電

9.判斷題雖然直至今日我們?nèi)云毡椴捎脭U(kuò)散區(qū)一詞，但是硅片制造中已不再用雜質(zhì)擴(kuò)散來(lái)制作pn結(jié)，取而代之的是離子注入。

10.名詞解釋有限表面源擴(kuò)散

擴(kuò)散開(kāi)始時(shí)，表面放入一定量的雜質(zhì)源，而在以后的擴(kuò)散過(guò)程中不再有雜質(zhì)加入，此種擴(kuò)散稱為有限源擴(kuò)散。