絕緣層上進行硅的異質外延。
在平衡條件下，雜質能溶解在硅中而不發(fā)生反應形成分凝相的最大濃度。
外延層與沉底的材料不同。
通過使用特定的溶液與需要被腐蝕的薄膜材料進行化學反應，進而除去沒有被光刻膠覆蓋區(qū)域的薄膜。
