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集成電路工藝原理問答題每日一練(2020.06.02)

來源：考試資料網

1.問答題硅錠直徑從20世紀50年代初期的不到25mm增加到現在的300mm甚至更大，其原因是什么？

參考答案：（1）更大直徑硅片有更大的表面積做芯片，能夠減少硅片的浪費。
（2）每個硅片上有更多的芯片，每塊芯片的加工和處...

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2.問答題版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

參考答案：DRC：檢查版圖中同層、不同層間圖形的線寬、間距是否滿足工藝的最小尺寸要求。
ERC：檢查版圖中是否存在開路、短...

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3.問答題什么是離子注入時的溝道效應？列舉出三種控制溝道效應的方法？

參考答案：溝道效應：單晶硅原子為長程有序排列，當注入離子未與硅原子碰撞減速，而是穿透了晶格間隙時，就發(fā)生了溝道效應，使預期的設計范...

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4.問答題試畫出MOS器件跨導與源漏電壓的函數曲線。

參考答案：

5.問答題IC制造中常采用什么方法形成金屬層？它的作用是什么？

參考答案：金屬層的形成主要采用物理汽相沉積（Pysical Vapor Deposition，簡稱PVD）技術...

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