集成電路工藝原理章節(jié)練習(xí)(2019.05.08)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題簡述MCM的測試技術(shù)？

參考答案：測試費(fèi)用高：高測試費(fèi)用提醒設(shè)計(jì)者在做設(shè)計(jì)決策時(shí)必須仔細(xì)考慮測試問題。一種新設(shè)計(jì)的MCM所要進(jìn)行的測試比一種成熟的MCM測...

2.問答題簡要說明IC制造的平坦化工藝的作用是什么？主要有哪些方式？并解釋各種方式的詳細(xì)內(nèi)容。

參考答案：在多層布線立體結(jié)構(gòu)中，把成膜后的凸凹不平之處進(jìn)行拋光研磨，使其局部或全局平坦化。
A.關(guān)于ECMP（電化學(xué)機(jī)械...

3.填空題影響CZ直拉法的兩個主要參數(shù)是（）和（）。

參考答案：拉伸速率；晶體旋轉(zhuǎn)速率

4.填空題硅片上的氧化物主要通過（）和（）的方法產(chǎn)生，由于硅片表面非常平整，使得產(chǎn)生的氧化物主要為層狀結(jié)構(gòu)，所以又稱為（）。

參考答案：熱生長；淀積；薄膜

5.名詞解釋保形覆蓋

所有圖形上淀積的薄膜厚度相同；也稱共性覆蓋。

6.判斷題CVD是利用某種物理過程，例如蒸發(fā)或者濺射現(xiàn)象實(shí)現(xiàn)物質(zhì)的轉(zhuǎn)移，即原子或分子由源轉(zhuǎn)移到襯底（硅）表面上，并淀積成薄膜。

7.名詞解釋擴(kuò)散效應(yīng)

襯底雜質(zhì)與外延層雜質(zhì)相互擴(kuò)散，導(dǎo)致界面處雜志再分布的現(xiàn)象。

8.問答題簡述多層印制電路基板制造工藝？

參考答案：裁板、內(nèi)層前處理、壓膜、曝光、DES連線、CCD沖孔、AOI檢驗(yàn)、VRS確認(rèn)、棕化、鉚釘、疊板、壓合、后處理、上PIN、...

9.判斷題在CMP設(shè)備中被廣泛采用的終點(diǎn)檢測方法是光學(xué)干涉終點(diǎn)檢測。

10.名詞解釋CMP

化學(xué)機(jī)械拋光。