微電子學(xué)章節(jié)練習(xí)(2019.12.02)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題室溫下鍺的本征電阻率為47Ω·cm，如果電子和空穴的遷移率分別為3900cm²/V·S和1900cm²/V·S，試求本征鍺的載流子濃度。

2.判斷題常用的IC設(shè)計方法有全定制設(shè)計方法、標準單元設(shè)計方法、門陣列設(shè)計方法和可編程邏輯電路設(shè)計方法等。對于性能要求很高或批量很大的產(chǎn)品，如存儲器、微處理器等，一般采用可編程邏輯電路設(shè)計方法。

3.問答題當分辨率增加時焦深會發(fā)生什么變化？

4 離子注入與熱擴散相比，哪個橫向效應(yīng)?。ǎ?/a>

5.問答題給出硅片制造中光刻膠的兩種目的。

1.將掩膜版圖案轉(zhuǎn)移到硅片表面頂層的光刻膠中。
2.在后續(xù)工藝中保護下面的材料。

6.填空題某長方形薄層材料的方塊電阻為100Ω，長度和寬度分別為300μm和60μm，則其長度方向和寬度方向上的電阻分別為（）和（）。若要獲得1KΩ的電阻，則該材料的長應(yīng)改變?yōu)椋ǎ?/a>

參考答案：500Ω；20Ω；600μm

7.問答題簡述硅的基本性質(zhì)？它的優(yōu)點？

8.填空題淺結(jié)制備的常用方法是：（）、（）加（）。而（）型淺結(jié)比（）型淺結(jié)更難制備。P型淺結(jié)常用（）、（）、（）來獲得。

參考答案：降低注入離子能量；分子離子注入；快速熱退火；P；n；BF₂⁺離子替代B⁺注入；降低B⁺注入能量；硅注入表面預(yù)非晶化

9.問答題解釋PN節(jié)的單向?qū)щ娦裕?/a>

參考答案：載流子漂移（電流）和擴散（電流）過程保持平衡（相等），形成自建場和自建勢在PN結(jié)上外加一電壓，如果P型一邊接正極，N型一...

10.問答題什么樣的光刻設(shè)備對應(yīng)的過程是怎樣的？