集成電路工藝原理填空題每日一練(2020.04.22)

來(lái)源：考試資料網(wǎng)

1.填空題CVD過(guò)程中化學(xué)反應(yīng)所需的激活能來(lái)源有（）、（）、（）等。

2.填空題設(shè)計(jì)與生產(chǎn)一種最簡(jiǎn)單的硅雙極型PN結(jié)隔離結(jié)構(gòu)的集成電路，需要（）、（）、（）、（）、（）、（）等六次光刻。

3.填空題濺射鍍膜方法有（）、（）、（）、（）等。

4.填空題晶體中的缺陷包括（）、（）、（）、（）等四種。

5.填空題真空蒸發(fā)設(shè)備由三大部分組成，分別是（）、（）、（）及（）系統(tǒng)。