微電子學(xué)章節(jié)練習(xí)(2019.05.13)

來源：考試資料網(wǎng)

1.填空題在微電子學(xué)中的空間尺寸通常是以μm和（）為單位的。

2.問答題離子注入后進(jìn)行退火工藝的原因是什么？

參考答案：可使裸露的硅片表面生長(zhǎng)一層新的阻擋氧化層；高溫使得雜質(zhì)向硅中移動(dòng)；可使注入引入的損傷得到修復(fù)；使雜質(zhì)原子與硅原子間的共價(jià)...

3.填空題晶體管的高頻優(yōu)值M是（）與（）的乘積

參考答案：功率增益；帶寬

4.問答題什么是集成電路設(shè)計(jì)？集成電路的設(shè)計(jì)方法有哪些？

參考答案：根據(jù)電路功能和性能的要求，在正確選擇系統(tǒng)配置、電路形式、器件結(jié)構(gòu)、工藝方案和設(shè)計(jì)規(guī)則的情況下，盡量減小芯片面積，降低設(shè)計(jì)...

5.填空題N溝道MOSFET的襯底是（）型半導(dǎo)體，源區(qū)和漏區(qū)是（）型半導(dǎo)體，溝道中的載流子是（）。

參考答案：P；N；電子

6.問答題為什么刪氧要用熱生長(zhǎng)？

參考答案：因?yàn)闁叛跖c其下的Si具有高質(zhì)量和穩(wěn)定性的特點(diǎn)，柵氧一般通過熱生長(zhǎng)獲得。

7.問答題解釋透鏡壓縮是怎么發(fā)生的，它產(chǎn)生了什么問題？

參考答案：透鏡壓縮是透鏡材料結(jié)構(gòu)上的重新排列導(dǎo)致透鏡材料增密，壓縮發(fā)生在透鏡材料中，包括熔融石英它可以增加激光束穿過區(qū)域的透鏡材料...

8.填空題N型半導(dǎo)體中電子是多子，空穴是（）。

9.問答題集成電路設(shè)計(jì)和分立電路設(shè)計(jì)相比，有哪些特點(diǎn)？

參考答案：①集成電路對(duì)設(shè)計(jì)正確性提出了更為嚴(yán)格的要求。
②集成電路外引出端的數(shù)目不可能與芯片內(nèi)器件的數(shù)目同步增加，因此設(shè)...

10.名詞解釋擴(kuò)散法（diffusion）

是將摻雜氣體導(dǎo)入放有硅片的高溫爐中，將雜質(zhì)擴(kuò)散到硅片內(nèi)的一種方法。