微電子學(xué)章節(jié)練習(xí)(2019.08.21)
來源：考試資料網(wǎng)1.問答題光刻膠厚度隨什么變化？
參考答案：粘度越高轉(zhuǎn)速越低，光刻膠就越厚
3.問答題負(fù)膠的兩大缺點是什么。
參考答案：在顯影時曝光區(qū)域由溶劑引起的泡脹；曝光時光刻膠可與氮氣反應(yīng)從而抑制其交聯(lián) 。
4.名詞解釋平均自由程
參考答案：粒子和粒子碰撞前能夠移動的平均距離。
5.問答題干法刻蝕是如何分類和定義的？
6.問答題光刻技術(shù)中的常見問題有那些？
7.名詞解釋擴散法（diffusion）
參考答案：
是將摻雜氣體導(dǎo)入放有硅片的高溫爐中，將雜質(zhì)擴散到硅片內(nèi)的一種方法。
8.問答題寫出計算焦深的公試。
參考答案：DOF=入/（2*NA）2
參考答案：微分；大；小
