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集成電路工藝原理填空題每日一練(2019.12.16)

來(lái)源：考試資料網(wǎng)

1.填空題制作鎢塞的主要工藝步驟是：1、（）；2、（）；3、（）；4、磨拋鎢。

參考答案：鈦淀積阻擋層；氮化鈦淀積；鎢淀積

2.填空題常規(guī)集成電路平面制造工藝主要由（）、（）、（）、（）、（）等工藝手段組成。

參考答案：光刻；氧化；擴(kuò)散；刻蝕；離子注入（外延、CVD、PVD）

3.填空題選擇性氧化常見(jiàn)的有（）和（），其英語(yǔ)縮略語(yǔ)分別為L(zhǎng)OCOS和（）。

參考答案：局部氧化；淺槽隔離；STI

4.填空題立式爐的工藝腔或爐管是對(duì)硅片加熱的場(chǎng)所，它由垂直的（）、（）和（）組成。

參考答案：石英工藝腔；加熱器；石英舟

5.填空題擴(kuò)散是物質(zhì)的一個(gè)基本性質(zhì)，分為三種形態(tài)（）擴(kuò)散、（）擴(kuò)散和（）擴(kuò)散。

參考答案：氣相；液相；固相

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