集成電路工藝原理章節(jié)練習(xí)(2019.04.30)

來源：考試資料網(wǎng)
參考答案：工藝腔；硅片傳輸系統(tǒng)；溫控系統(tǒng)
參考答案：直流濺射；射頻濺射；偏壓濺射；磁控濺射（反應(yīng)濺射、離子束濺射）
4.名詞解釋橫向擴(kuò)散
參考答案：由于光刻膠無法承受高溫過程，擴(kuò)散的掩膜都是二氧化硅或氮化硅。當(dāng)原子擴(kuò)散進(jìn)入硅片，它們向各個(gè)方向運(yùn)動：假如雜質(zhì)原子沿硅片表...
參考答案：普通濺射法有兩個(gè)缺點(diǎn)：一是濺射方法淀積薄膜的速率低；二是所需的工作氣壓較高，這兩者綜合效果是氣體分子對薄膜產(chǎn)生的污染的可...
參考答案：

擴(kuò)散開始時(shí)，表面放入一定量的雜質(zhì)源，而在以后的擴(kuò)散過程中不再有雜質(zhì)加入，此種擴(kuò)散稱為有限源擴(kuò)散。

7.名詞解釋Fabless
參考答案：

IC設(shè)計(jì)公司，只設(shè)計(jì)不生產(chǎn)。

參考答案：熱擴(kuò)散；離子注入